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HUF76645S3S 发布时间 时间:2025/12/24 12:25:42 查看 阅读:40

HUF76645S3S 是一款 N 沟道功率 MOSFET,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于各种高效率电源转换场景。
  其封装形式通常为 TO-220 或类似的表面贴装类型,具体视制造商而定。HUF76645S3S 的主要目标市场包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用领域。

参数

型号:HUF76645S3S
  类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压 VDS:650V
  最大栅源电压 VGS:±20V
  连续漏极电流 ID:4.1A
  脉冲漏极电流 IXP:9.1A
  导通电阻 RDS(on):850mΩ(在 VGS = 10V 时)
  功耗 PD:180W(取决于封装和散热条件)
  工作温度范围 Tj:-55°C 至 +150°C

特性

1. 高耐压能力:HUF76645S3S 支持高达 650V 的漏源电压,使其非常适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻:RDS(on) 仅为 850mΩ(在 VGS=10V 时),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关性能:由于采用了优化的结构设计,该器件具备较低的输入电容和输出电荷,从而实现更快的开关速度。
  4. 高可靠性:经过严格的质量控制流程生产,确保其在恶劣环境下仍能保持稳定的性能。
  5. 紧凑型封装:采用标准 TO-220 封装或表面贴装形式,便于集成到各种电路板中。

应用

1. 开关电源(SMPS):作为主开关管用于 AC-DC 或 DC-DC 转换。
  2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机运行状态。
  3. 负载切换:保护下游电路免受过流、短路等问题影响。
  4. 充电器电路:为电池充电提供高效且可靠的电力传输通道。
  5. 工业自动化设备:如 PLC 输出端口驱动、继电器替代方案等。

替代型号

IRF640N
  FQP14N65C
  STP45NF06L
  HUF76645T3
  请注意,虽然这些型号可能具有相似的电气特性,但在选择替代品时必须仔细核对所有关键参数以确保兼容性。

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HUF76645S3S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs153nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4400pF @ 25V
  • 功率 - 最大310W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装管件