类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：190W
　　导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装：TO-263（D2PAK）

HUF76639S3ST_F085 MOSFET 具备多项优异特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力，额定连续漏极电流可达 100A，在高功率应用中表现出色。
　　此外，HUF76639S3ST_F085 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源设计。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，兼容多种驱动电路。
　　在热管理方面，TO-263 封装具有良好的热性能，便于散热并支持高功率密度设计。该 MOSFET 还具备出色的雪崩能量承受能力，增强了在苛刻工作条件下的可靠性。其工作温度范围宽（-55℃ 至 175℃），适用于各种工业和汽车电子环境。

HUF76639S3ST_F085 广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。由于其高效率和低导通电阻，该 MOSFET 特别适合用于同步整流拓扑中，以提高电源转换效率。
　　在服务器电源、电信电源、电源管理模块和功率放大器中，HUF76639S3ST_F085 也常用于高效能开关电路。此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等，满足汽车电子对可靠性和效率的严格要求。
　　由于其高电流能力和良好的热管理特性，该器件也适用于工业自动化设备、电源适配器和高功率 LED 驱动电路中，提供稳定可靠的功率控制解决方案。

SiR178DP-T1-GE3, IRF1724S, SQJA40EP