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HUF76633P3 发布时间 时间:2025/7/3 17:18:47 查看 阅读:8

HUF76633P3是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式为TO-252(DPAK),适用于表面贴装技术(SMT),有助于实现更紧凑的电路设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:16nC
  开关时间:典型值ton=9ns,toff=18ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

HUF76633P3具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))可减少导通损耗,从而提升效率。
  2. 快速的开关速度降低了开关损耗,并适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 小巧的TO-252封装节省了PCB空间,同时支持高效的散热管理。
  5. 宽泛的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。

应用

HUF76633P3主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 各类DC-DC转换器中的同步整流功能。
  4. 电池保护电路中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  由于其出色的性能,该器件特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。

替代型号

HUF76633PT3
  HUF76633P3TR
  IRLZ44N
  FDP069N06L

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HUF76633P3产品

HUF76633P3参数

  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 39A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1820pF @ 25V
  • 功率 - 最大145W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件