时间：2025/7/4 4:17:47
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HUF76629D3沟道增强型功率 MOSFET。它采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能和高频操作的应用场景。
该器件广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理电路中。其封装形式为 TO-252（DPAK），能够提供出色的散热性能和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：42A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：10nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-252
HUF76629D3ST 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用。
3. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
4. 强劲的电流承载能力，支持大功率设计。
5. 小型化封装设计，便于印刷电路板布局和安装。
这些特点使 HUF76629D3ST 成为许多高要求应用的理想选择。
HUF76629D3ST 常见的应用领域有：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. 直流-直流转换器。
3. 电机控制和驱动。
4. 电池保护和管理。
5. 各种负载开关和保护电路。
由于其优异的性能，该器件特别适合于需要高效能和小型化解决方案的场合。
HUF76629D3LST,HUF76629D3RST
