HUF76413D 时间：2025/8/25 3:03:50 阅读：19

HUF76413D 是由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

HUF76413D MOSFET采用了先进的Trench技术，具备非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗。
　　该器件的封装设计具有良好的热性能，能够有效散热，确保在高电流条件下稳定工作。HUF76413D还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过电压条件下的可靠性。
　　此外，该MOSFET具有良好的栅极氧化层稳定性，能够承受较高的栅源电压（最大20V），从而在栅极驱动电路设计上提供了更高的灵活性。其引脚排列符合行业标准，便于PCB布局和替换其他类似器件。

应用

HUF76413D MOSFET广泛应用于各类高功率和高效率电子系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理系统以及工业自动化控制设备。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，HUF76413D特别适用于需要高效率和高可靠性的电源设计。例如，在计算机电源、服务器电源、UPS（不间断电源）、电信电源设备中，HUF76413D都能提供出色的性能表现。
　　此外，在电动汽车（EV）充电系统、储能系统和工业电机控制中，该器件也常用于功率开关和保护电路中，确保系统在重载或故障情况下仍能稳定运行。