时间：2025/6/19 1:45:10
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HUF76145P3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它主要用于需要高效率开关和低导通电阻的应用场合，例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等。该器件采用了先进的半导体工艺技术制造，具有出色的电气性能和可靠性。
这款MOSFET以极低的导通电阻（Rds(on)）著称，有助于减少功率损耗并提高系统的整体效率。此外，它还具备较高的雪崩击穿能力，能够承受一定的瞬态过压事件。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：19A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：16nC（典型值）
输入电容：1950pF（典型值）
总功耗：120W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保高效运行和最小化功率损耗。
2. 高雪崩能量能力，增强了在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 优化的热性能设计，提高了散热效率。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅封装。
6. 小型封装选项，节省PCB空间。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
3. 电池管理与保护系统。
4. 电机控制和驱动电路。
5. 负载开关和功率分配。
6. 汽车电子设备中的功率控制模块。
IRF7614PbF, STP19NF06L
