时间：2025/8/24 21:31:09
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HUF76139是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用。HUF76139采用D2PAK（TO-263）封装，具备良好的热性能和高功率密度。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：100A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：2.7mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：180W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
HUF76139 MOSFET具有多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），在4.5V栅极驱动电压下仅为2.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，优化了电流传导能力，同时降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。HUF76139的D2PAK封装具备优良的热管理能力，能够有效散热，从而提升器件的可靠性和长期稳定性。
此外，HUF76139具有高耐压能力和良好的雪崩能量承受能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围宽广，支持标准逻辑电平驱动（如5V），便于与控制器或驱动IC配合使用。器件的内部结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于降低系统噪声并提升整体电磁兼容性。
由于其高电流容量和优异的热性能，HUF76139可广泛应用于汽车电子、工业电源、服务器电源、电池管理系统（BMS）、电机驱动和负载开关等高功率场景。
HUF76139广泛应用于需要高效功率管理的各类电子系统中。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电源管理系统、电机控制电路、电池保护模块、负载开关、功率放大器以及工业自动化设备中的高侧或低侧开关。在汽车电子领域，HUF76139可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电动水泵控制、LED照明驱动以及电池管理系统（BMS）中的功率开关控制。
此外，该器件也适用于服务器电源、通信设备电源模块、不间断电源（UPS）以及高功率便携设备中的功率管理单元。由于其出色的导通特性和热稳定性，HUF76139在需要高可靠性和高效率的工业和汽车应用中表现出色。
SiS170DN, IRF1324S-7PPBF, FDP100N30TM
