HUF76129 时间：2025/8/24 21:38:16 阅读：33

HUF76129是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率密度和高效率的电源系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力，适用于如电源转换器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。HUF76129采用先进的封装技术，提供优异的热性能和可靠性，适合工业和汽车电子等严苛环境下的使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

HUF76129具有出色的导通性能和开关性能，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提高系统的整体效率。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中表现出色，减少功率损耗并提升系统稳定性。
　　此外，该器件具备较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。HUF76129的栅极设计优化了驱动电压的响应速度，使其能够快速导通和关断，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，能够在极端负载条件下提供保护，防止器件损坏。其封装设计优化了散热路径，提升了热传导效率，从而延长了器件的使用寿命。
　　在汽车应用中，HUF76129符合AEC-Q101标准，确保其在严苛环境下的稳定性和可靠性。其优异的电气特性和热性能使其成为车载电源系统、电动工具和工业电机控制的理想选择。

应用

HUF76129适用于多种高功率电子系统，包括但不限于以下应用领域：
　　1. DC-DC转换器：用于服务器电源、通信设备和工业自动化系统中的高效能直流电源转换。
　　2. 电源管理系统：如不间断电源（UPS）、储能系统和电池管理系统（BMS）。
　　3. 电机控制：用于电动工具、家用电器和工业电机的驱动与控制。
　　4. 汽车电子：如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动助力转向系统（EPS）等汽车电源管理应用。
　　5. 负载开关：用于高电流负载的快速开关控制，如LED照明、加热元件和继电器替代方案。