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HUF76129 发布时间 时间:2025/8/24 21:38:16 查看 阅读:13

HUF76129是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于高功率密度和高效率的电源系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力,适用于如电源转换器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。HUF76129采用先进的封装技术,提供优异的热性能和可靠性,适合工业和汽车电子等严苛环境下的使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):180A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):2.7mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):250W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

HUF76129具有出色的导通性能和开关性能,能够显著降低导通损耗和开关损耗,提高系统的整体效率。其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高电流应用中表现出色,减少功率损耗并提升系统稳定性。
  此外,该器件具备较高的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。HUF76129的栅极设计优化了驱动电压的响应速度,使其能够快速导通和关断,适用于高频开关应用。
  该MOSFET还具有良好的短路耐受能力,能够在极端负载条件下提供保护,防止器件损坏。其封装设计优化了散热路径,提升了热传导效率,从而延长了器件的使用寿命。
  在汽车应用中,HUF76129符合AEC-Q101标准,确保其在严苛环境下的稳定性和可靠性。其优异的电气特性和热性能使其成为车载电源系统、电动工具和工业电机控制的理想选择。

应用

HUF76129适用于多种高功率电子系统,包括但不限于以下应用领域:
  1. DC-DC转换器:用于服务器电源、通信设备和工业自动化系统中的高效能直流电源转换。
  2. 电源管理系统:如不间断电源(UPS)、储能系统和电池管理系统(BMS)。
  3. 电机控制:用于电动工具、家用电器和工业电机的驱动与控制。
  4. 汽车电子:如车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动助力转向系统(EPS)等汽车电源管理应用。
  5. 负载开关:用于高电流负载的快速开关控制,如LED照明、加热元件和继电器替代方案。

替代型号

SiR182DP, IRF1404, BSC028N03LS, FDS4410

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