时间：2025/7/26 17:41:08
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HUF76121是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高性能功率MOSFET器件，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于多种高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：120A
最大漏-源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ
栅极电荷：90nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK
HUF76121采用了先进的沟槽技术，能够显著降低导通电阻并提升效率。该器件具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。此外，HUF76121的低栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
其高电流容量和低电压降使其适用于需要高功率密度的设计。HUF76121还具备优异的雪崩能量耐受能力，确保了在极端条件下的可靠性。
HUF76121广泛应用于汽车电子系统、工业电源、DC-DC转换器、电机控制器以及电池管理系统中。该器件的高可靠性和高效能特性使其成为现代电力电子设计中的重要组件。
HUF76121D
