时间：2025/8/24 15:19:45
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HUF75842S3 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式（Trench）技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。HUF75842S3采用DPAK（TO-252）封装，具有良好的热性能和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：4.75mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
功率耗散（Pd）：160W
HUF75842S3 MOSFET采用了安森美半导体的Trench技术，实现了非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了效率。其4.75mΩ的Rds(on)使得在高电流应用中发热显著降低，有助于提高系统的整体能效。
该器件具有高达120A的连续漏极电流能力，适用于高功率需求的应用，如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统。此外，HUF75842S3的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。
这款MOSFET的封装采用DPAK（TO-252）形式，具有良好的热管理能力，能够在高功率密度设计中提供可靠的散热性能。其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于各种恶劣的工作环境。
由于其高性能和高可靠性，HUF75842S3广泛应用于汽车电子、工业自动化、通信设备和消费类电子产品中的电源管理电路。
HUF75842S3 MOSFET主要应用于需要高效率和高电流能力的电源管理电路中。典型的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在汽车电子领域，它可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载娱乐系统等。在工业应用中，HUF75842S3常用于工业电源、伺服电机控制和自动化设备中的功率开关。此外，它还适用于服务器电源、笔记本电脑适配器和其他高性能计算设备中的电源转换模块。
Si7484BDP-T1-GE3, IRF150, FDS6680, NTD120N10C
