HUF75842S3 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式(Trench)技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。HUF75842S3采用DPAK(TO-252)封装,具有良好的热性能和机械稳定性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):20V
最大连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):4.75mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:DPAK(TO-252)
功率耗散(Pd):160W
HUF75842S3 MOSFET采用了安森美半导体的Trench技术,实现了非常低的导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了效率。其4.75mΩ的Rds(on)使得在高电流应用中发热显著降低,有助于提高系统的整体能效。
该器件具有高达120A的连续漏极电流能力,适用于高功率需求的应用,如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统。此外,HUF75842S3的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,使其适用于高频开关应用。
这款MOSFET的封装采用DPAK(TO-252)形式,具有良好的热管理能力,能够在高功率密度设计中提供可靠的散热性能。其工作温度范围为-55°C至175°C,适用于各种恶劣的工作环境。
由于其高性能和高可靠性,HUF75842S3广泛应用于汽车电子、工业自动化、通信设备和消费类电子产品中的电源管理电路。
HUF75842S3 MOSFET主要应用于需要高效率和高电流能力的电源管理电路中。典型的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在汽车电子领域,它可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载娱乐系统等。在工业应用中,HUF75842S3常用于工业电源、伺服电机控制和自动化设备中的功率开关。此外,它还适用于服务器电源、笔记本电脑适配器和其他高性能计算设备中的电源转换模块。
Si7484BDP-T1-GE3, IRF150, FDS6680, NTD120N10C