时间：2025/6/19 1:43:35
阅读：3
HUF75842P3是一款由Hitachi（日立）生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高电压和高效率的开关应用，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。HUF75842P3采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，并且能够在较高的电压环境下稳定工作。
这款芯片的核心特点在于其高耐压能力以及低导通电阻，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。此外，HUF75842P3还具备快速开关速度和优异的抗干扰性能，适合在多种工业级和消费级电子设备中使用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2.9A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：1.5Ω
功耗：22W
工作温度范围：-55℃至+150℃
HUF75842P3是一种N沟道增强型MOSFET，具有以下显著特性：
1. 高耐压：最高可承受600V的漏源电压，适用于高电压环境下的电路设计。
2. 快速开关性能：由于采用了先进的制造工艺，该器件能够实现快速的开关动作，从而降低开关损耗。
3. 低导通电阻：1.5Ω的导通电阻可以显著减少传导过程中的功率损失。
4. 高可靠性：即使在极端温度条件下（-55℃至+150℃），HUF75842P3仍然能够保持稳定的性能。
5. 小封装大功率：TO-220封装提供优秀的散热性能，同时支持较高的功率输出。
6. 抗静电能力强：器件本身具有较强的抗静电能力，有助于提高整体系统的稳定性。
HUF75842P3广泛应用于各种需要高压开关的场合，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 照明系统（如LED驱动器）
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子辅助系统
HUF75842P3凭借其出色的性能，成为上述领域中关键组件的理想选择。
IRF640
STP17NF06
FQP17N06
