时间：2025/8/24 13:49:23
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HUF75842P是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理及功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等应用。该MOSFET采用TO-220封装，便于散热并具有良好的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
HUF75842P具备极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（30V VDS）使其适用于多种中压功率转换场合。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高功率密度环境下稳定工作。器件内部采用了先进的沟槽技术，提高了开关性能和可靠性。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还简化了在PCB上的安装和使用。此外，HUF75842P具有较强的抗冲击能力和过载承受能力，适用于工业控制、汽车电子和电源管理系统等要求较高的应用环境。
HUF75842P广泛应用于各种电源管理电路中，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及高电流开关电源。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统和电池保护电路。由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET也适用于工业自动化、服务器电源和储能系统等对稳定性要求较高的应用。
HUF75842P的替代型号包括HUF76429P、HUF75843P、IRF1405、SiS886DN、IPD90N03S4-07
