HUF75645S 时间：2025/12/29 14:54:53 阅读：11

HUF75645S 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高电流和高效率应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场合。HUF75645S 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，从而在高负载条件下仍能保持出色的性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：100A（在 25°C 下）
　　导通电阻（Rds(on)）：6.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：D2PAK（TO-263）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2800pF（典型值）

特性

HUF75645S MOSFET 具备多项关键特性，使其在功率电子设计中成为理想选择。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的最小功率损耗，提高了系统效率。这在高功率密度设计中尤为重要，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
　　其次，该器件具有高耐压能力，Vds 最大为 30V，适合于多种低压功率应用。此外，±20V 的栅源电压能力提供了良好的栅极驱动兼容性，支持标准逻辑电平驱动器的使用。
　　HUF75645S 采用 D2PAK（TO-263）封装，具有优良的热性能，能够有效地将热量传导至散热器或 PCB 上，从而提高器件在高负载下的可靠性。
　　其高电流能力（100A）和高功率耗散（200W）使该 MOSFET 能够应对极端工作条件，适用于需要高稳定性和可靠性的工业和汽车应用。
　　此外，该器件的沟槽式 MOSFET 结构优化了开关性能，减少了开关损耗，使其在高频应用中也能表现出色。

应用

HUF75645S MOSFET 主要用于以下类型的应用：
　　1. 电源管理：包括同步降压和升压转换器、DC-DC 模块、负载开关和电源分配系统。
　　2. 电机控制：用于电动工具、工业自动化设备和机器人中的电机驱动电路。
　　3. 电池管理系统：在电池充电/放电控制电路中作为高电流开关使用。
　　4. 汽车电子：如车载充电器、起动电机控制器和车身控制模块等应用。
　　5. 工业设备：如不间断电源（UPS）、逆变器和焊接设备等需要高电流处理能力的场合。
　　6. 服务器和通信设备的电源系统：用于高效的电源转换模块，提高整体系统效率。