时间：2025/6/29 12:42:43
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HUF75639P3是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
该型号为N沟道增强型MOSFET，支持较高的连续漏极电流，并能在较宽的工作电压范围内稳定运行。其封装形式通常为TO-220或DPAK，具体视制造商而定。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：11nC
反向恢复时间：48ns
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 内置反向二极管，可有效保护电路免受瞬态电压影响。
4. 具有良好的热稳定性，能够在高温条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于各种工业及消费类电子产品。
6. 封装设计紧凑，便于表面贴装和自动化生产。
7. 提供了较强的抗静电能力（ESD防护），增强了产品的耐用性。
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IRF740
STP30NF06
FDP157N
HUF75639P3L
BUK7Y2R8-60E
