HUF75637P 时间：2025/8/25 1:54:49 阅读：26

HUF75637P是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高性能N沟道MOSFET功率晶体管，主要用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效率电源转换系统。HUF75637P采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于多种工业、汽车电子和消费类电子产品中的电源管理应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：160A
　　功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值5.7mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：140nC
　　输入电容（Ciss）：2400pF
　　封装类型：TO-220
　　引脚数：3

特性

HUF75637P具有多个显著的技术特性，首先其采用了先进的Trench沟槽结构技术，使其在相同电压等级下实现了更低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件的RDS(on)最大值仅为5.7mΩ，在10V栅极驱动电压下可实现高效的功率传输。
　　其次，该MOSFET具备高电流承载能力，连续漏极电流可达160A，适合高功率应用。其250W的总功耗能力结合TO-220封装的良好散热性能，使其在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　此外，HUF75637P的栅极电荷（Qg）为140nC，输入电容为2400pF，这些参数使其在高频开关应用中表现良好，有助于减少开关损耗并提高系统效率。器件的栅源电压最大值为±20V，具备较强的抗电压波动能力，增强了在复杂电源环境下的可靠性。
　　最后，HUF75637P的工作温度范围为-55°C至175°C，表明其具有良好的温度适应性，适用于严苛的工业和汽车应用环境。

应用

HUF75637P广泛应用于多种电源管理领域，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、电源适配器以及汽车电子系统中的高侧或低侧开关控制。
　　在DC-DC转换器中，HUF75637P凭借其低导通电阻和高电流能力，可显著提升转换效率并减少热量产生，适用于高密度电源模块设计。在负载开关应用中，该器件可用于控制高功率负载的通断，如在服务器电源管理系统中实现电源隔离和负载管理。
　　在汽车电子领域，HUF75637P可应用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等，其宽广的工作温度范围和高可靠性确保了在极端环境下的稳定运行。
　　此外，该MOSFET还可用于高性能电机驱动电路中，作为功率开关元件，提供快速响应和高效能的电机控制。