您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HUF75637P

HUF75637P 发布时间 时间:2025/8/25 1:54:49 查看 阅读:14

HUF75637P是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的高性能N沟道MOSFET功率晶体管,主要用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于高效率电源转换系统。HUF75637P采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适用于多种工业、汽车电子和消费类电子产品中的电源管理应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):160A
  功耗(PD):250W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  导通电阻(RDS(on)):最大值5.7mΩ(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):140nC
  输入电容(Ciss):2400pF
  封装类型:TO-220
  引脚数:3

特性

HUF75637P具有多个显著的技术特性,首先其采用了先进的Trench沟槽结构技术,使其在相同电压等级下实现了更低的导通电阻,从而降低了导通损耗,提高了整体效率。该器件的RDS(on)最大值仅为5.7mΩ,在10V栅极驱动电压下可实现高效的功率传输。
  其次,该MOSFET具备高电流承载能力,连续漏极电流可达160A,适合高功率应用。其250W的总功耗能力结合TO-220封装的良好散热性能,使其在高温环境下仍能保持稳定运行。
  此外,HUF75637P的栅极电荷(Qg)为140nC,输入电容为2400pF,这些参数使其在高频开关应用中表现良好,有助于减少开关损耗并提高系统效率。器件的栅源电压最大值为±20V,具备较强的抗电压波动能力,增强了在复杂电源环境下的可靠性。
  最后,HUF75637P的工作温度范围为-55°C至175°C,表明其具有良好的温度适应性,适用于严苛的工业和汽车应用环境。

应用

HUF75637P广泛应用于多种电源管理领域,包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电源分配系统、电源适配器以及汽车电子系统中的高侧或低侧开关控制。
  在DC-DC转换器中,HUF75637P凭借其低导通电阻和高电流能力,可显著提升转换效率并减少热量产生,适用于高密度电源模块设计。在负载开关应用中,该器件可用于控制高功率负载的通断,如在服务器电源管理系统中实现电源隔离和负载管理。
  在汽车电子领域,HUF75637P可应用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)等,其宽广的工作温度范围和高可靠性确保了在极端环境下的稳定运行。
  此外,该MOSFET还可用于高性能电机驱动电路中,作为功率开关元件,提供快速响应和高效能的电机控制。

替代型号

SiR178DP, IRF1405, IPB075N03L, FDS6675, STP150N3LL

HUF75637P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HUF75637P资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载