时间：2025/6/28 20:09:22
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HUF75545P3是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于各种功率转换应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），支持表面贴装工艺，广泛应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子设备中。
该MOSFET的额定电压为60V，连续漏极电流高达54A，能够满足高性能功率系统的严格要求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：54A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：2840pF
总电容：41pF
工作温度范围：-55℃至150℃
HUF75545P3具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，有助于减少开关损耗并改善动态性能。
3. 采用TO-263封装，具备良好的散热特性和机械稳定性。
4. 支持大电流负载，适用于高功率应用场景。
5. 具有出色的雪崩能力和抗浪涌能力，增强了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
这款MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 工业自动化中的功率模块。
4. 汽车电子系统，例如电池管理系统（BMS）和车载充电器。
5. 大功率LED驱动器和逆变器。
6. 消费类电子产品中的快速充电适配器。
IRF7739PbF, FDP5500NL, STP55NF06L
