类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：200A
　　最大漏极-源极电压 (VDS)：75V
　　最大栅极-源极电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：最大值为 2.8mΩ（典型值 2.2mΩ）
　　功耗 (Ptot)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

HUF75545P 具备多项卓越的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，从而在高电流负载下仍能保持较低的温升。其次，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保在高温和高负载条件下仍能保持稳定的性能。此外，HUF75545P 的封装设计优化了散热性能，使其能够适应严苛的环境条件。
　　该器件的高栅极电荷（Qg）特性使其适用于高频开关应用，从而提高电源系统的整体效率。同时，其出色的短路和过载能力增强了系统的可靠性和安全性。HUF75545P 还具有较低的反向恢复电荷（Qrr），这有助于减少开关损耗，提高动态响应性能。此外，其高雪崩能量耐受能力使其在突发负载条件下仍能安全运行，适用于高可靠性的工业和汽车应用。

HUF75545P 主要应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。典型应用包括汽车电子系统（如电动助力转向系统、电池管理系统和车载充电器）、工业电机驱动器、DC-DC 转换器、电源管理系统、UPS（不间断电源）以及服务器电源等。由于其卓越的导通性能和热稳定性，该器件特别适用于需要高电流处理能力的场景，例如高性能电源模块和高效率逆变器。
　　在汽车应用中，HUF75545P 可用于支持48V轻混系统中的功率转换，提供高效的能量管理解决方案。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，HUF75545P 也发挥着重要作用，帮助实现高效率的能量转换和管理。

Si75545DP, IRF75545PBF, FDP75545P, IPB075N20N3