时间：2025/8/6 19:30:42
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HUF75339是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高电流和高功率的电子系统中，如电源转换、电机控制、DC/DC转换器以及负载开关等场景。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，能够提供高效能的功率管理解决方案。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
功耗（Pd）：190W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
HUF75339采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中能显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于大功率负载的控制，同时具备良好的热稳定性和散热性能，确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。HUF75339还具备快速开关特性，适用于高频开关电源系统，减少开关损耗并提升整体性能。此外，其坚固的封装结构增强了抗热应力和机械应力的能力，适用于工业和汽车电子等高可靠性要求的场合。
HUF75339常用于高性能电源管理系统，如DC/DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统、电源负载开关以及各类工业控制设备。此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载电源转换器、电动助力转向系统（EPS）和启停系统等，满足汽车级应用对高可靠性和高稳定性的需求。
Si7454DP, IRF1324S-7PPBF, FDP8030, IPB033N03L
