HUF75339是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于高电流和高功率的电子系统中,如电源转换、电机控制、DC/DC转换器以及负载开关等场景。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能,能够提供高效能的功率管理解决方案。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A(Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
功耗(Pd):190W
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
HUF75339采用先进的Trench沟槽MOSFET技术,具备极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流应用中能显著降低功率损耗,提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于大功率负载的控制,同时具备良好的热稳定性和散热性能,确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。HUF75339还具备快速开关特性,适用于高频开关电源系统,减少开关损耗并提升整体性能。此外,其坚固的封装结构增强了抗热应力和机械应力的能力,适用于工业和汽车电子等高可靠性要求的场合。
HUF75339常用于高性能电源管理系统,如DC/DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统、电源负载开关以及各类工业控制设备。此外,该MOSFET也适用于汽车电子系统,如车载电源转换器、电动助力转向系统(EPS)和启停系统等,满足汽车级应用对高可靠性和高稳定性的需求。
Si7454DP, IRF1324S-7PPBF, FDP8030, IPB033N03L