类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：30V
　　最大漏极电流(Id)：130A
　　导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ（典型值）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：DPAK (TO-252)

HUF75329P3具备出色的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。采用Trench技术使得器件在高频率下仍能保持良好的稳定性，适用于高频开关电源、同步整流和DC-DC转换器等应用。此外，该器件的封装形式DPAK提供了优良的热传导性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
　　内置的体二极管具有快速恢复特性，有助于降低反向恢复损耗，适用于需要快速开关的应用场景。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与多种类型的MOSFET驱动IC或控制器配合使用。此外，HUF75329P3具备较高的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供更好的稳定性和保护性能，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。

HUF75329P3广泛应用于各种功率电子系统中，包括同步整流式开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、汽车电子系统（如车载充电器和DC-DC变换器）以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高效率和低导通损耗的特性，它特别适合用于需要高功率密度和高效能转换的电源设计中。在电机控制应用中，该器件可用于H桥驱动电路，实现电机的双向控制和高效能运行。此外，在电池管理系统中，HUF75329P3可作为电池充放电控制开关，实现高效率的充放电管理。

Si4410DY-T1-GE3, IRF1405, FDP6670, IPB013N03LA, FDS4410A