时间：2025/4/3 10:15:08
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HUF75329D3S是一款高效能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用TO-263-3封装形式。该器件专为高电流和高电压应用而设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等应用领域。
其出色的热性能和电气特性使其在各种工业及消费类电子产品中得到广泛应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：32A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：11nC
总电容：180pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263-3
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，确保在大电流应用中的稳定性。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，非常适合高频开关应用。
4. 高耐压能力，可承受高达60V的漏源电压，提高了器件的安全裕度。
5. 出色的热稳定性和可靠性，支持在宽广的工作温度范围内运行。
6. 小型化封装设计，便于PCB布局和散热管理。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器的核心功率级元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 汽车电子中的电源管理和驱动电路。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
HUF75329D3L, IRFZ44N, FDP16N60
