时间：2025/7/12 15:53:03
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HUF75321S3S 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263-3L封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于各类电源管理应用中。其主要功能是作为功率开关或负载开关使用，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：29A
导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：120W
结温范围（Tj）：-55℃至175℃
栅极电荷（Qg）：36nC
反向恢复时间（trr）：16ns
HUF75321S3S 具有低导通电阻的特性，这有助于降低传导损耗并提高效率。此外，该器件还具备快速开关速度，可以有效减少开关损耗。其封装设计能够提供良好的散热性能，从而确保在高功率应用中的稳定运行。
由于采用了先进的制造工艺，这款MOSFET能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。同时，它的耐热性和抗浪涌能力较强，非常适合于需要长时间可靠工作的电路环境。
HUF75321S3S 广泛适用于直流-直流转换器、电机驱动、负载开关、电池保护电路以及各种开关模式电源（SMPS）。它也常被用作续流二极管或同步整流器，在LED驱动器和光伏逆变器等场景下也有出色表现。
凭借其大电流承载能力和高效的开关性能，该器件还可用于音频放大器、汽车电子系统以及其他需要高性能功率开关的应用场合。
HUF75321S3K, HUF75321T3S
