时间：2025/12/29 14:11:01
阅读：32
HUF75307T3ST136 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和高效率的特点。其封装形式为 DPAK（TO-252）封装，便于散热和安装。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：DPAK (TO-252)
极性：N 沟道
HUF75307T3ST136 MOSFET 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电导调制效应，从而在高电流条件下仍能保持较低的压降。
此外，HUF75307T3ST136 具有出色的热性能，其 DPAK 封装设计支持良好的散热能力，适用于高功率密度的应用场景。其最大漏极电流可达 110A，能够在高温环境下稳定运行，适用于诸如 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用。
HUF75307T3ST136 主要应用于需要高电流和高效率的功率管理系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化和电源管理系统。
Si7410DP, IRF1404, IPB013N04LG, FDS4410A
