时间：2025/6/29 12:41:32
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HUF75229P3是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-263封装形式。该器件主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。其设计旨在提供高效率和低功耗性能，适用于各种工业和消费类电子产品。HUF75229P3具有较低的导通电阻以及快速的开关速度，能够显著提升电路的整体性能。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。由于其出色的电气特性和稳定性，HUF75229P3在多种应用场景中表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：45A
脉冲漏极电流：180A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：1450pF
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，确保在大功率条件下稳定运行。
4. 具备强大的热稳定性，能够在恶劣环境下可靠工作。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. TO-263封装形式，便于焊接和安装。
7. 耐雪崩能力出色，提高了系统可靠性。
8. 短路保护功能，延长了器件使用寿命。
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IRF7739PbF
STP45NF06L
FDP5500RL
IXYS: IXFN40N06P3
