时间：2025/9/6 13:42:41
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HU5420V820MRXS2 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）制造的 DDR2 SDRAM 内存芯片。该芯片主要用于计算机、服务器和其他嵌入式系统中，以提供高速数据存储和访问功能。DDR2 SDRAM 是第二代双倍数据速率同步动态随机存取存储器，具有更高的带宽和更低的功耗相比前代 DDR SDRAM。HU5420V820MRXS2 的设计适用于需要高性能和低功耗内存解决方案的应用场景。
容量：512MB
类型：DDR2 SDRAM
数据速率：800Mbps
电压：1.8V
封装：TSOP
行地址位数：13 位
列地址位数：10 位
刷新周期：64ms
工作温度：工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）
HU5420V820MRXS2 是一款高性能 DDR2 SDRAM 芯片，具有 512MB 的存储容量，能够满足多种嵌入式系统和计算机设备的需求。其数据传输速率为 800Mbps，支持双倍数据速率传输，提高了内存的带宽效率。该芯片采用 1.8V 低压供电，有助于降低功耗和热量产生，适合用于对能效有较高要求的设备。
采用 TSOP（薄型小外形封装）技术，使得芯片在 PCB 上的占用空间较小，并具有良好的散热性能。该内存芯片具备 13 位行地址和 10 位列地址，支持较大的内存寻址范围。其 64ms 的刷新周期确保了数据的稳定性和可靠性。
HU5420V820MRXS2 的工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种恶劣环境下的应用，如工业控制系统、网络设备、通信设备等。此外，该芯片符合 RoHS 环保标准，不含铅和其他有害物质，符合现代电子产品的环保要求。
HU5420V820MRXS2 主要应用于需要高性能内存支持的嵌入式系统、工业计算机、网络路由器、交换机、数字视频设备以及消费类电子产品。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片特别适合用于图形处理、数据缓存和多任务处理等场景。
HU5420V820MRXS2 的替代型号包括 HU5420V820MRXS 和 HU5420V820MRXS6。这些型号在封装、速度等级或电压特性上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。
