HU52W331MCAS3PF 是一款由 Hynix(海力士)公司生产的 DDR2 SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片。该芯片具有较高的存储密度和较快的数据传输速率,适用于需要高性能内存的电子设备。该封装为 FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),具备良好的电气性能和散热性能,适合在各种工业、消费电子和通信设备中使用。
容量:32M x 16(512MB)
电压:1.8V
封装:FBGA
数据速率:333MHz(PC2-5300)
组织结构:x16
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
刷新周期:64ms
数据输出类型:差分 DQS
HU52W331MCAS3PF 是一款高性能的 DDR2 SDRAM 芯片,具备高速数据传输能力,适用于需要高带宽内存的应用场景。其 333MHz 的时钟频率允许在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据,从而实现高达 667MT/s 的数据速率。该芯片的工作电压为 1.8V,相较于传统的 SDRAM 芯片,功耗更低,适合用于便携式或低功耗设备。其 FBGA 封装形式具有较小的体积和优良的热管理性能,有助于提升系统稳定性。此外,该芯片具有 64ms 的自动刷新周期,确保数据长时间存储不丢失,适用于对数据保持能力要求较高的应用环境。
DDR2 SDRAM 的接口支持突发传输模式,能够有效提升数据吞吐率,同时内置的 ODT(On-Die Termination)功能有助于改善信号完整性,减少电路板设计的复杂度。该芯片支持多种操作模式,包括突发读写、自动预充电、自刷新等,适应不同系统设计的需求。其 x16 的数据宽度设计在保证性能的同时,也提供了较高的存储密度,使其在图形处理、嵌入式系统、网络设备等领域具有广泛的应用前景。
HU52W331MCAS3PF 主要用于高性能嵌入式系统、图形加速器、通信设备、工业控制设备以及消费类电子产品,如高端路由器、网络交换机、数字电视、机顶盒、游戏机和多媒体播放器等。由于其高带宽与低功耗的特性,该芯片也非常适合用于需要持续数据处理和存储的应用场景。
HY5PS12821AFP-S5, MT48LC16M16A2B4-3.3A, K4T51163QF-HC