时间：2025/9/6 14:57:46
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HU52W221MRYS6 是一种由 Samsung（三星）生产的 16GB（2GB x8）容量的DRAM芯片，属于W221系列。该芯片采用WFBGA（微小球栅阵列）封装技术，适用于对存储容量和性能要求较高的电子设备，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统等。该型号的存储结构为2GB x8，工作电压通常为1.8V或2.5V，支持高速数据存取，适用于需要快速响应的场景。
类型: DRAM
容量: 16GB (2GB x8)
封装类型: WFBGA
制造商: Samsung
系列: W221
数据总线宽度: x8
工作电压: 1.8V/2.5V
温度范围: 工业级 (-40°C ~ +85°C)
时钟频率: 高速访问
HU52W221MRYS6 是一款高容量的DRAM芯片，专为高性能和低功耗应用而设计。该芯片采用先进的DRAM制造工艺，能够在高速运行时保持较低的能耗，从而延长设备的电池寿命并减少热量产生。其WFBGA封装形式使得芯片在PCB布局中更加灵活，且具备良好的散热性能。
该芯片支持标准的DRAM控制信号，便于与多种主控芯片进行通信。此外，它具备较高的数据存取速度，适合用于需要大量临时存储的应用场景，如图形处理、数据缓存、实时操作系统等。同时，该芯片具有良好的稳定性和可靠性，在各种工作环境下都能保持稳定运行，适合用于工业和消费类电子产品。
HU52W221MRYS6 主要应用于需要大容量内存和高速数据处理的设备。例如，在高端智能手机和平板电脑中，它可以作为主内存使用，以提升多任务处理能力和运行速度；在嵌入式系统和工业控制设备中，它能够提供足够的内存空间以支持复杂的数据处理任务；此外，该芯片也可用于网络设备、图像处理模块以及高性能计算模块，以满足不同领域的应用需求。
KLM8G1GETF-B031, KLMAG2FEHA-B031
