时间：2025/9/6 16:18:25
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HU52W221MCXS7PF 是一款由 Vishay Siliconix 生产的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的TrenchFET技术，提供高性能和高效率。该器件封装于6引脚DFN（Dual Flat No-lead）封装，适用于空间受限的高密度电路设计。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和快速开关特性，适用于负载开关、电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种便携式电子设备。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：8A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=2.5V
功耗（Pd）：3.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：6-DFN（2mm x 2mm）
HU52W221MCXS7PF 采用先进的TrenchFET技术，具有极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其双N沟道结构设计允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET通道，节省PCB空间的同时简化电路布局。该器件的栅极驱动电压可低至2.5V，支持与多种逻辑电平控制器的直接接口，适用于电池供电设备和低压系统。此外，其DFN封装具有优异的热性能，能够有效散热，确保在高电流应用下的稳定运行。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性。
HU52W221MCXS7PF 的封装尺寸仅为2mm x 2mm，非常适合对空间敏感的便携式设备，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等。其高集成度和高性能特性使其成为替代传统分立MOSFET的理想选择。
该器件广泛应用于各种便携式电子产品中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等。此外，HU52W221MCXS7PF 也适用于负载开关、DC-DC转换器、同步整流、电池充电管理、马达驱动和LED背光控制等场景。其低导通电阻和低电压驱动特性使其特别适合于节能型设计，有助于延长电池续航时间。在汽车电子领域，该器件也可用于车载信息娱乐系统、摄像头模块和传感器电源管理等应用。
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"Si3442DV-T1-E3",
"FDMS3618",
"NVBDS245NFTAG",
"FDMF6820C"
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