HU52W151MRZS2 是一款由 Hanhua Microelectronics(华微电子)制造的功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于中高功率的电子系统设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):150V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):20A(在25°C)
脉冲漏极电流(IDM):80A
导通电阻(RDS(on)):约80mΩ(典型值,取决于VGS)
封装形式:TO-263(D2PAK)
工作温度范围:-55°C至+175°C
功率耗散(PD):125W
技术:沟槽型MOSFET
HU52W151MRZS2 属于高性能的N沟道MOSFET器件,具备多项优良特性。其低导通电阻确保在导通状态下损耗较低,从而提高系统的整体效率。该器件在高温下仍能保持稳定的性能,适合在恶劣环境条件下运行。此外,其高电流承受能力与良好的热管理特性相结合,使得它在高功率应用中表现出色。采用TO-263封装,便于散热并支持表面贴装技术(SMT),提高了生产效率和装配灵活性。同时,其栅极驱动特性优化,能够减少开关损耗,提高动态响应速度,适用于高频开关电源和同步整流电路。
HU52W151MRZS2 MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于:
? 电源转换器(如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器)
? 高功率LED照明系统
? 电动车及电池管理系统(BMS)
? 电动工具和无刷电机控制器
? 通信设备中的电源模块
? 工业自动化与电机驱动系统
该器件在这些应用中主要承担功率开关的角色,其高效能和高可靠性确保系统稳定运行。
IRF1405、SiHF151N、AP151NQ、STP20NK150Z、FDPF151N