时间：2025/9/6 14:36:58
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HU52G221MRYS4 是一款由 Samsung（三星）生产的 SLC（单层单元）NAND 闪存芯片，广泛用于嵌入式系统和存储模块中。该芯片具有较高的读写速度和较长的擦写寿命，适合对数据存储可靠性有较高要求的应用场景。
容量：256MB
封装类型：TSOP
电压：2.7V - 3.6V
接口：NAND Flash
读取时间：50ns
擦写寿命：100,000 次/块
工作温度：-40°C ~ +85°C
HU52G221MRYS4 是一款高性能的 NAND 闪存芯片，具有较低的功耗和较高的稳定性。该芯片支持标准的 NAND 接口协议，适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。其擦写寿命可达 100,000 次/块，确保了长期使用的可靠性。
此外，该芯片具有宽工作温度范围，能够在 -40°C 至 +85°C 的环境中稳定工作，适用于严苛的工业环境。其封装形式为 TSOP，便于 PCB 设计和焊接，适合大规模量产应用。
HU52G221MRYS4 还支持 ECC（错误校正码）功能，能够自动检测和纠正数据错误，提高了数据存储的完整性和可靠性。同时，该芯片支持坏块管理功能，确保在长时间使用过程中仍能保持稳定性能。
该芯片广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、通信设备、医疗设备、车载导航系统、智能电表、POS 终端等对数据存储可靠性有较高要求的场景。
K9F2G08U0A, HU52G221MRYS4B
