容量：1Gb（128MB）
　　组织结构：x32
　　电压：1.5V（VDD）/ 1.35V（VDDQ）
　　时钟频率：最大支持 1.25GHz（等效于 5Gbps 数据率）
　　封装形式：170-ball FBGA
　　接口类型：GDDR5 SDRAM
　　工作温度：-40°C 至 +85°C

HU52G101MRW 的主要特性包括其高带宽数据传输能力，支持高达 5Gbps 的数据速率，使其成为高性能图形应用的理想选择。该芯片采用了低功耗设计，支持多种节能模式，包括自刷新和深度掉电模式，有助于在低负载时降低功耗。
　　此外，该芯片具有良好的热稳定性和电气稳定性，能够在高温环境下可靠运行。GDDR5 接口支持双向数据传输（在时钟的上升沿和下降沿都进行数据传输），从而显著提高内存带宽。该芯片还支持 ZQ 校准功能，可以动态调整输出驱动强度，确保信号完整性。
　　HU52G101MRW 还具备强大的错误检测和纠正能力，有助于提升图形系统的稳定性和可靠性。其 x32 位宽设计，使得单颗芯片即可提供较大的数据吞吐量，适合用于构建高性能显存子系统。

HU52G101MRW 主要应用于高端显卡、独立 GPU、游戏主机、高性能计算（HPC）设备以及需要高带宽显存的专业图形工作站。该芯片也常见于需要大量图形数据处理的应用，如虚拟现实（VR）、增强现实（AR）、3D 渲染、视频编辑以及深度学习训练与推理等场景。
　　由于其高带宽和低延迟特性，HU52G101MRW 也适用于需要快速访问大量图像数据的嵌入式视觉系统、工业相机和高端监控设备。此外，在需要大量并行计算能力的 FPGA 和 ASIC 系统中，该芯片也可作为高速缓存使用。

Micron MT58K256A25A-107:B4-IT, Samsung K4G10325FE-FC20, SK Hynix H5GQ1H24AFR-T2C