时间：2025/9/6 13:58:32
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HU52D681MCYPF 是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用小型且高效的封装，能够在高电流和高频率条件下稳定工作。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.5A（@25°C）
脉冲漏极电流：5A
导通电阻(Rds(on))：最大0.68Ω @Vgs=10V
功率耗散(Pd)：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
HU52D681MCYPF 是一款高性能功率MOSFET，具备低导通电阻和快速开关能力，有助于提高电源系统的效率并减少发热。其TSOP封装结构使其适用于空间受限的高密度PCB设计。该器件在高温环境下依然能够保持稳定工作，具备良好的热稳定性。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（可支持4.5V至10V驱动），兼容多种控制电路设计，便于在不同应用场景中使用。
该器件采用了罗姆先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，特别适用于需要高频开关的DC-DC转换器和同步整流电路。同时，其较低的Qg（栅极电荷）值也有助于降低驱动损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，在瞬态过压或感性负载切换时具有更强的鲁棒性。
HU52D681MCYPF 主要用于需要高效能和小尺寸封装的功率控制场合。典型应用包括便携式电子设备的电源管理、LED照明驱动电路、马达驱动电路、电池供电系统的负载开关、DC-DC降压/升压转换器以及同步整流器等。由于其良好的高频响应特性，该器件也常用于无线充电、USB PD电源管理以及小型电源适配器等现代电源解决方案中。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, FDV301N
