HU52D681MCYPF 是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用小型且高效的封装,能够在高电流和高频率条件下稳定工作。该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):1.5A(@25°C)
脉冲漏极电流:5A
导通电阻(Rds(on)):最大0.68Ω @Vgs=10V
功率耗散(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
HU52D681MCYPF 是一款高性能功率MOSFET,具备低导通电阻和快速开关能力,有助于提高电源系统的效率并减少发热。其TSOP封装结构使其适用于空间受限的高密度PCB设计。该器件在高温环境下依然能够保持稳定工作,具备良好的热稳定性。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(可支持4.5V至10V驱动),兼容多种控制电路设计,便于在不同应用场景中使用。
该器件采用了罗姆先进的沟槽式MOSFET技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,特别适用于需要高频开关的DC-DC转换器和同步整流电路。同时,其较低的Qg(栅极电荷)值也有助于降低驱动损耗,提高整体系统效率。此外,该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力,在瞬态过压或感性负载切换时具有更强的鲁棒性。
HU52D681MCYPF 主要用于需要高效能和小尺寸封装的功率控制场合。典型应用包括便携式电子设备的电源管理、LED照明驱动电路、马达驱动电路、电池供电系统的负载开关、DC-DC降压/升压转换器以及同步整流器等。由于其良好的高频响应特性,该器件也常用于无线充电、USB PD电源管理以及小型电源适配器等现代电源解决方案中。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, FDV301N