时间：2025/9/6 15:57:13
阅读：7
HU52D221MCWPF是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片通常用于需要高性能和大容量内存的应用场合。DRAM芯片通过电容存储数据，需要定期刷新以保持数据完整性。HU52D221MCWPF以其较高的存储密度和相对较低的延迟，广泛应用于计算机系统、工业设备和嵌入式系统中。
类型：DRAM
容量：256MB
封装：TSOP（薄型小外形封装）
工作电压：3.3V
接口类型：异步
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
时钟频率：最大可达166MHz
存取时间：5.4ns
封装尺寸：54引脚
HU52D221MCWPF具有多种关键特性，使其适用于高性能存储系统。首先，该芯片支持异步操作，允许灵活的时序控制，适用于不同类型的主控器。其次，其256MB的存储容量在许多嵌入式系统和工业设备中提供了充足的存储空间。该芯片的TSOP封装形式不仅降低了封装高度，还提高了热管理和电气性能。此外，该芯片的工作电压为3.3V，能够在较低功耗下运行，适用于对能耗敏感的应用场景。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种恶劣环境下的稳定运行，而64ms的刷新周期则有效减少了数据丢失的风险。最后，5.4ns的快速存取时间使得该芯片能够满足高速数据处理的需求。
HU52D221MCWPF广泛应用于需要大容量、高性能内存的系统中。常见的应用包括工业控制设备、嵌入式系统、网络通信设备、消费电子产品（如高端平板电脑和智能电视）以及各类需要临时数据存储的设备。由于其低功耗特性和工业级温度耐受能力，该芯片也常被用于户外设备和车载电子系统中。
HY57V224220BHC-6A，K4S641632C-TC75，MT48LC16M2A2B4-6A
