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HTZ270H64K 发布时间 时间:2025/8/5 16:39:31 查看 阅读:18

HTZ270H64K 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片通常用于需要较大内存容量和高速数据存取的应用场合。HTZ270H64K 属于早期的DRAM技术产品,其设计目标是为计算机系统和嵌入式设备提供可靠的数据存储与快速访问能力。该芯片采用了标准的DRAM架构,支持同步操作,以匹配处理器的速度需求。

参数

类型:DRAM
  容量:256Mb(64M x 4)
  组织结构:x4
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  工作电压:3.3V
  接口:LVTTL
  时钟频率:最大可达166MHz
  访问时间:5.4ns(典型值)
  数据保持时间:64ms
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装尺寸:54引脚TSOP

特性

HTZ270H64K 的主要特性包括高性能、低功耗和紧凑的封装设计。该芯片支持同步模式操作,使得数据读写更加高效,适用于需要高速缓存的应用场景。此外,HTZ270H64K 还具备自动刷新功能,确保在不丢失数据的情况下维持存储单元的电荷状态。其LVTTL接口兼容性强,能够方便地集成到多种系统中。芯片内部集成了多种控制逻辑,如行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)和写使能(WE)等信号,以实现灵活的内存管理。HTZ270H64K 的TSOP封装形式不仅节省空间,而且有助于提高PCB布局的灵活性和散热性能。
  为了进一步优化性能,HTZ270H64K 支持突发模式操作,允许连续的数据传输而无需每次都重新发送地址信息。这种特性极大地提高了数据吞吐量,并减少了访问延迟。同时,该芯片还提供了多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式,以适应不同的功耗需求,延长设备的电池寿命。

应用

HTZ270H64K 主要应用于需要中等容量高速存储的电子设备中,例如个人电脑、服务器、网络设备、通信基础设施以及工业控制系统等。它也常见于早期的图形加速卡和嵌入式系统中,作为临时数据缓冲区或主存储器使用。此外,HTZ270H64K 也可用于测试设备、测量仪器以及其他对存储速度和可靠性有较高要求的专业领域。

替代型号

HY57V281620FTP-6A, MT48LC16M2A2B4-6A

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HTZ270H64K参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)46V @ 12A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 64000V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)3.4A
  • 电压 - (Vr)(最大)64000V(64kV)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型标准
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 包装散装