时间：2025/8/5 17:37:18
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HTZ130B28K 是一款广泛应用于电源管理系统中的功率MOSFET器件。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适合用于高效能、高频开关电路中。HTZ130B28K 通常采用TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于散热和安装，适用于多种电源转换和功率控制应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：80A
最大脉冲漏极电流（Idm）：320A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，最大为2.8mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
HTZ130B28K 具有极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的沟槽式结构设计优化了电流传导能力，同时减小了芯片尺寸，提高了集成度。此外，HTZ130B28K 的最大漏极电流高达80A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽，支持10V至20V之间的驱动电压，确保在不同应用场景下实现良好的导通特性和稳定性。
该MOSFET具备较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作，适用于车载电子、电源适配器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。此外，HTZ130B28K 的封装设计支持表面贴装技术（SMT），提高了组装效率和可靠性，同时具备良好的散热性能，有助于降低系统温度并提高整体稳定性。
HTZ130B28K 主要应用于需要高效能、高电流能力的功率电子设备中。常见的应用包括：电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关以及各类高功率密度的电源模块。由于其低导通电阻和高电流能力，HTZ130B28K 在汽车电子系统（如车载充电器、启动系统）和工业自动化设备中也得到广泛应用。此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和服务器电源等高可靠性要求的场合，HTZ130B28K 也是理想的功率开关元件。
SiS828DN, IRF1324S-7PPBF, SQJ428E-T1_GE3
