HTZ110A16K 时间：2025/8/5 18:47:58 阅读：13

HTZ110A16K 是一款高性能、低噪声的射频（RF）晶体管，广泛用于射频放大器和高频电子电路中。该器件基于先进的硅双极晶体管技术，具有优异的高频响应和线性放大性能，适用于通信设备、测试仪器、无线基础设施等领域。HTZ110A16K 封装采用行业标准的 SOT-89 形式，具备良好的热稳定性和机械可靠性。

参数

类型：NPN射频晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：20V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　过渡频率（fT）：10GHz
　　噪声系数（NF）：0.5dB @ 1GHz
　　增益（hFE）：60 @ Ic=10mA, Vce=5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-89

特性

HTZ110A16K 是一款专为射频和高频应用设计的晶体管，其核心特性包括低噪声系数、高过渡频率和良好的线性度。该器件在1GHz频率下的噪声系数仅为0.5dB，使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择，有助于提升接收机的灵敏度和信号质量。此外，高达10GHz的过渡频率确保了在超高频段仍能保持稳定的放大性能。
　　该晶体管的增益表现优异，在典型工作条件下（Ic=10mA, Vce=5V）增益可达60倍，有助于提高系统的整体信号放大能力。其SOT-89封装不仅体积小巧，便于PCB布局，还具备良好的散热性能，确保器件在连续工作状态下仍能保持稳定。
　　HTZ110A16K 在设计上优化了高频段的线性响应，减少了信号失真，适用于需要高保真放大的无线通信系统。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其能够适应各种严苛的环境条件，包括工业级和军用级应用场景。

应用

HTZ110A16K 常用于射频前端电路，如低噪声放大器（LNA）、中频放大器（IFA）和高频信号放大器。该器件广泛应用于无线通信系统（如蜂窝基站、Wi-Fi接入点）、测试与测量设备（如频谱分析仪、信号发生器）、卫星通信设备以及雷达和电子战系统等。此外，它也适用于消费类电子产品中的无线模块，如蓝牙、Wi-Fi和ZigBee收发器，提供稳定可靠的信号放大功能。