类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerPAK? 8x8

HTD8236NESD 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和优异的热性能使其在高负载条件下依然保持稳定运行。该器件支持高频率开关操作，适用于需要快速开关的电源转换器和电机控制电路。
　　此外，HTD8236NESD 具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在极端工作条件下提供可靠的性能。其封装设计优化了散热性能，使得该MOSFET能够在高环境温度下运行而不会出现过热现象。
　　该器件还具备较强的抗静电能力（ESD）和良好的短路耐受能力，适用于各种恶劣工作环境。由于其低栅极电荷（Qg）特性，开关损耗被显著降低，从而进一步提升了整体能效。

HTD8236NESD 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业电机驱动、汽车电子系统（如车载充电器和DC-AC逆变器）、服务器电源以及UPS不间断电源系统等。
　　在电源管理应用中，HTD8236NESD 的低导通电阻和高开关速度使其成为高效能电源转换的理想选择。在电机驱动应用中，其高电流能力和良好的热稳定性可确保设备在高负载下持续运行。
　　此外，该MOSFET还常用于同步整流电路中，以提高电源转换效率，降低发热损耗。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，HTD8236NESD 也发挥着重要作用。

SiS8236, NexFET CSD87351Z, IRF1324S-7PPBF