容量：1Gbit
　　组织结构：x16
　　电压：1.7V - 3.6V
　　接口类型：Parallel
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　最大访问时间：5.4ns
　　最大工作频率：166MHz

HT5Q1G63EFR-PBC是一款高性能的DRAM芯片，具备以下显著特性：
　　首先，该芯片具备1Gbit的存储容量，采用x16的组织结构，适用于需要大容量存储和高数据吞吐量的设计。其并行接口支持高速数据访问，最大工作频率可达166MHz，访问时间低至5.4ns，能够满足对速度要求较高的系统应用。
　　其次，该DRAM芯片的工作电压范围较宽，为1.7V至3.6V，使其能够兼容多种电源设计，适用于不同的嵌入式和便携式设备。其低功耗设计也有助于延长电池寿命，提高系统能效。
　　此外，HT5Q1G63EFR-PBC采用54-ball FBGA封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，确保在各种温度条件下稳定运行。
　　该芯片还具备良好的数据保持能力和稳定性，支持自动刷新和自刷新模式，有效降低功耗并提高数据可靠性。其广泛应用于通信设备、网络路由器、工业控制设备和消费类电子产品中。

HT5Q1G63EFR-PBC广泛应用于需要大容量、高速DRAM存储的电子设备中。常见应用包括但不限于：
　　网络通信设备如路由器和交换机，用于高速缓存和数据缓冲；工业控制系统，用于实时数据处理和存储；嵌入式系统如智能卡终端和数据采集设备；以及消费类电子产品如高清电视、多媒体播放器和游戏设备。由于其低功耗、高性能和宽温工作范围，该芯片也适用于户外设备和工业自动化领域的高可靠性应用场景。

MT48LC16M1A2B4-6A, K4S641632K-F8BC