时间：2025/5/23 7:33:30
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HT2N60是一种高压功率MOSFET，采用N沟道增强型设计。该器件适用于高电压和高效率应用场合，能够提供较低的导通电阻和快速开关性能，从而减少能量损耗并提高系统效率。
HT2N60通常被用于电源管理、电机驱动、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等场景中。其出色的耐压能力和低导通损耗特性使其非常适合工业和消费类电子设备中的各种开关和调节任务。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
导通电阻（典型值）：8.5Ω
栅极电荷：15nC
总电容（输入电容）：430pF
反向恢复时间：90ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
HT2N60具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为600V，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下为8.5Ω，有助于降低功耗。
3. 快速开关性能，具备较小的栅极电荷和反向恢复时间，优化动态损耗。
4. 宽温度范围操作，能够在-55℃到+150℃的工作结温范围内稳定运行。
5. 具备良好的雪崩能力和抗静电能力（ESD），增强了器件的可靠性。
HT2N60广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和离线式电源适配器。
2. DC-DC转换器及升压/降压电路。
3. 各种工业控制设备中的电机驱动和负载切换。
4. 能量回收和电池管理系统中的功率级组件。
5. 消费类电子产品中的电源管理和保护电路。
6. 照明系统的镇流器和LED驱动电路。
IRF840,
FDP7850,
STP2N60,
FQA2N60C
