类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：15A
　　导通电阻(Rds(on))：≤35mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220 / TO-252

HT-6015的主要特性包括高耐压设计，使其能够承受较高电压冲击，适用于各种电源转换系统。其导通电阻非常低，通常在35毫欧以下，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频开关应用，从而减小了外围电路的体积和重量。HT-6015的封装设计也考虑了散热性能，能够在高电流条件下保持良好的热稳定性，延长器件寿命。
　　该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。栅极驱动特性优化，使其在不同驱动电压下仍能保持稳定的性能表现。HT-6015在设计上采用了先进的沟槽式工艺，进一步提升了器件的电气性能和可靠性。

HT-6015因其出色的电气特性和高可靠性，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于同步整流、负载开关、AC-DC和DC-DC转换器中。在电机驱动系统中，HT-6015可作为H桥的高端或低端开关，提供高效的电机控制。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路。此外，HT-6015还可用于LED驱动、逆变器、UPS（不间断电源）系统、电动车控制器、工业自动化设备以及各种高功率便携设备中。

IRFZ44N, STP15NF60, FDPF6N60, SiHF6015