工作频率范围：50 MHz 至 2 GHz
　　LO/RF端口隔离度：典型值 18 dB
　　转换损耗：典型值 6.5 dB
　　输入IP3：+13 dBm
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　电源电压：无需外部偏置（自偏置设计）
　　RF输入阻抗：50Ω
　　LO输入阻抗：50Ω

HSMS8201-TR1G是一款基于GaAs肖特基二极管技术的高性能单平衡混频器，其设计优化了在50 MHz至2 GHz频率范围内的性能表现。该器件采用自偏置结构，无需外部电源供电，简化了电路设计并降低了功耗。其典型转换损耗为6.5 dB，确保了高效的信号混频能力。此外，HSMS8201-TR1G具备良好的LO到RF和LO到IF的隔离度，通常可达18 dB，有助于减少信号串扰和干扰。
　　该混频器具有较高的线性度，输入三阶交调截点（IIP3）可达+13 dBm，适合用于对线性度要求较高的通信系统。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的热稳定性和机械可靠性，适用于自动化装配工艺。
　　HSMS8201-TR1G的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在各种恶劣环境条件下稳定运行，广泛适用于无线基础设施、工业控制、测试测量设备以及便携式通信设备。

HSMS8201-TR1G主要用于射频和微波通信系统中的混频应用，如无线基站、测试测量仪器、卫星通信设备和工业控制系统。由于其高线性度和宽频率范围，它特别适用于需要低失真和高稳定性的接收机和发射机前端设计。该器件也常用于频率合成器、信号分析仪和频谱仪等测试设备中。

HSMS8202-TR1G, HSMS8101-TR1G, AD8343ARMZ