类型：射频肖特基二极管
　　封装形式：SOT-23
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　最大反向电压（VR）：50 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　正向压降（VF）：最大 500 mV（在 100 mA 电流下）
　　反向漏电流（IR）：最大 500 nA（在 50 V 反向电压下）
　　频率范围：可达 100 MHz
　　结电容（Cj）：典型值 2.5 pF（在 1 V 反向偏置下）

HSMS2825-TR1G 是一款专为射频和中频信号处理而设计的肖特基二极管。其核心优势在于其快速的开关特性和低正向压降，使其在射频检波、信号整流以及混频电路中表现优异。该器件采用硅基肖特基势垒结构，具有良好的温度稳定性和抗干扰能力。
　　该二极管的工作频率范围广泛，适用于从几十千赫兹到几百兆赫兹的信号应用。其低结电容（Cj）确保在高频下保持良好的响应性能，同时低漏电流（IR）有助于提高电路的稳定性和能效。此外，HSMS2825-TR1G 采用 SOT-23 封装，便于自动化贴片生产，适用于高密度 PCB 设计。
　　在材料和工艺方面，HSMS2825-TR1G 符合 RoHS 标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和商业级应用环境。其耐用性在恶劣环境中也能保持良好的性能，适合用于通信基础设施、测试测量设备、传感器模块等应用。

HSMS2825-TR1G 主要用于射频信号检测、中频整流、混频器、功率检测、信号调理电路以及低功耗无线模块中。其高频率响应和低功耗特性也使其在射频能量采集、无线传感网络和便携式通信设备中广泛应用。此外，它还可用于模拟乘法器、调制解调器和射频识别（RFID）系统中的信号处理部分。

HSMS2850-TR1G, HSMS2852-TR1G, BB109S