型号：HSMS2812-TR1G
　　类型：射频检波器二极管
　　技术：硅肖特基二极管
　　工作频率：最高可达10 GHz
　　正向电压（IF=1 mA）：最大0.35 V
　　反向漏电流（VR=1 V）：最大50 nA
　　响应时间：典型值5 ns
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

HSMS2812-TR1G 具有多个显著的技术特性，使其在射频检测应用中表现出色。首先，其采用的硅肖特基二极管结构具有低正向电压降和极快的恢复时间，这使其在高频环境下仍能保持良好的检波性能。在工作频率方面，该器件可支持高达10 GHz的信号频率，适用于多种现代通信系统中的射频功率检测需求。
　　此外，该二极管的响应时间典型值为5 ns，确保了在高频信号下的快速检测能力。正向电压在1 mA电流下最大为0.35 V，表明其具有较低的功耗和较高的检测效率。同时，反向漏电流在1 V反向电压下最大为50 nA，显示出良好的阻断性能，有助于提高系统的稳定性。
　　HSMS2812-TR1G采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其适用于各种工业和通信环境。该器件无需外部偏置电源即可工作，进一步简化了电路设计。

HSMS2812-TR1G 广泛应用于需要射频信号检测和功率测量的场合。在无线通信系统中，它常用于基站、射频放大器和收发模块中的射频功率检测，确保系统在最佳工作状态下运行。此外，该器件也适用于测试与测量设备，如频谱分析仪、功率计和信号发生器，用作高精度的射频信号检波器。
　　在无线基础设施方面，HSMS2812-TR1G可用于天线调谐、发射功率监控和信号强度检测。其高频响应能力和快速恢复时间也使其适用于雷达系统、微波通信和物联网（IoT）设备中的射频能量采集模块。此外，该器件在工业控制、汽车电子（如V2X通信）以及医疗射频设备中也有一定的应用潜力。

HSMS-2860, HSMS-285C, HSMS2865-TR1G