HSMS-8207-TR2G 是一款由 Avago Technologies(安华高)推出的表面贴装单刀双掷(SPDT)射频开关二极管,适用于高频和射频应用。该器件采用 GaAs(砷化镓)工艺制造,具备快速切换时间和低插入损耗的特点,广泛用于通信系统、测试设备和射频控制电路中。
类型:射频开关二极管
拓扑结构:SPDT(单刀双掷)
频率范围:10 MHz 至 3 GHz
插入损耗:典型值 0.35 dB(2 GHz)
隔离度:典型值 20 dB(2 GHz)
驱动电流:10 mA(典型)
工作电压:5 V DC
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
HSMS-8207-TR2G 具备多项优良性能,适合高性能射频开关应用。其采用的 GaAs 技术提供了出色的高频响应和低失真特性,适用于需要高速切换的射频系统。该器件的 SPDT 结构允许在两个射频路径之间进行切换,适合用作天线切换、信号路径选择和射频测试设备中的控制元件。此外,HSMS-8207-TR2G 采用 SOT-23 小型封装,便于在高密度 PCB 设计中使用。其功耗低、响应速度快,并具备良好的温度稳定性和可靠性,适合在各种恶劣环境下运行。
该器件的驱动电流为 10 mA,适用于标准逻辑电平控制,易于与数字控制电路集成。其插入损耗低,有助于减少信号衰减,提高系统灵敏度;而良好的隔离度则确保了信号路径之间的有效隔离,减少串扰。此外,该射频开关可在 -55°C 至 +125°C 的宽温度范围内稳定工作,适应工业级和汽车级应用需求。
HSMS-8207-TR2G 主要用于射频通信系统、无线基础设施、测试测量设备、射频开关矩阵、天线切换电路、便携式无线电设备和射频信号路由控制等场景。
HSMS-8202, HSMS-8205, PE42020, SKY12211-396LF