您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HSMS-381E-TR1G

HSMS-381E-TR1G 发布时间 时间:2025/9/16 7:00:03 查看 阅读:21

HSMS-381E-TR1G是由安华高(Avago Technologies,现为Broadcom的一部分)生产的一款高性能射频(RF)肖特基二极管。该器件采用表面贴装封装(SOD-323),适用于各种高频应用,如检波器、混频器、开关和调制器等。HSMS-381E-TR1G具有低电容、低正向压降和快速恢复时间,非常适合在高频和低信号电平条件下使用。

参数

类型:肖特基二极管
  封装形式:SOD-323
  最大正向电流:20 mA
  最大反向电压:20 V
  电容(@ 1 MHz):0.3 pF
  正向压降(@ 1 mA):225 mV
  反向漏电流(@ 20 V):100 nA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

HSMS-381E-TR1G具有多项优异的电气和物理特性,使其成为射频和微波电路设计中的理想选择。首先,该器件的低电容(0.3 pF)使其在高频环境下能够保持良好的信号完整性,减少信号衰减和失真。其次,低正向压降(225 mV @ 1 mA)确保了在小信号应用中的高灵敏度和低功耗表现。此外,HSMS-381E-TR1G的快速恢复时间使其适用于高频开关应用,确保电路响应的实时性和稳定性。
  在封装方面,HSMS-381E-TR1G采用SOD-323小型表面贴装封装,便于自动化生产和高密度PCB布局。其封装材料符合RoHS标准,支持无铅焊接工艺,满足现代电子制造的环保要求。此外,该器件的宽工作温度范围(-55°C至+150°C)使其适用于各种恶劣环境,包括工业控制、汽车电子和通信设备等。
  HSMS-381E-TR1G的可靠性也得到了广泛认可,适用于要求高稳定性和长寿命的系统。其低漏电流(100 nA @ 20 V)保证了在高温和高阻断电压下的稳定工作,减少了因漏电流引起的功耗和噪声。因此,该器件在无线基础设施、测试测量设备、卫星通信和雷达系统中均有广泛应用。

应用

HSMS-381E-TR1G广泛应用于高频电子系统,包括射频检波器、混频器、频率倍增器、开关和调制器等。它在无线通信系统、测试与测量设备、卫星通信、雷达系统以及工业控制系统中均发挥重要作用。此外,该器件也可用于低功率射频识别(RFID)、传感器接口和微波探测器等应用。其小型封装和优异性能使其成为便携式设备和高密度电路设计的理想选择。

替代型号

HSMS-282C, SMS7630-079LF, HSMS-381Y-TR1G

HSMS-381E-TR1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价