时间：2025/9/15 17:45:45
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HSMS-286E-TR2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款表面贴装肖特基二极管，主要用于射频（RF）和高速开关应用。该器件采用SOT-23封装，具有低正向电压降和快速恢复时间的特点，适用于通信设备、电源管理和信号处理等场景。
类型：肖特基二极管
封装类型：SOT-23
最大重复峰值反向电压：30 V
最大正向电流：200 mA
最大正向压降：0.35 V（在100 mA时）
反向漏电流：100 nA（最大）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-65°C 至 150°C
HSMS-286E-TR2G 作为一款高性能肖特基二极管，具备低正向压降和快速开关特性，这使其在高频应用中表现出色。其低正向压降特性有助于减少功耗，提高系统效率，而快速恢复时间则确保了在高频下的稳定运行。此外，该器件的反向漏电流极低，有助于在高温环境下保持稳定的性能。SOT-23封装形式使其适用于空间受限的电路设计，并且易于实现自动化生产。该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业和通信设备中的关键电路。
HSMS-286E-TR2G 广泛应用于射频接收器、信号检测电路、电源整流器、电压钳位电路以及高速开关电路中。它特别适合用于无线通信系统、基站设备、测试仪器、工业控制系统和消费类电子产品中的高频信号处理部分。
HSMS-285C, HSMS-285E
