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HSMS-282C-TR1G 发布时间 时间:2025/9/16 13:49:35 查看 阅读:11

HSMS-282C-TR1G是一款由安华高(Avago Technologies)推出的通用射频(RF)肖特基二极管,广泛应用于无线通信、测试测量设备和工业控制系统中。该器件采用SOT-23封装,具有体积小、性能稳定、高频响应好等特点,适用于检波、混频、开关等多种射频电路功能。

参数

类型:肖特基二极管
  封装类型:SOT-23
  最大正向电流:20 mA
  最大反向电压:5 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  频率范围:DC 至 10 GHz
  结电容(@ 1 MHz):0.3 pF
  正向压降(@ 1 mA):0.35 V(典型值)
  反向漏电流(@ 5 V):10 nA(最大值)

特性

HSMS-282C-TR1G的核心优势在于其优异的射频性能和广泛的工作频率范围,能够满足多种高频应用需求。该器件采用肖特基势垒结构,具有低正向压降和快速恢复时间,适合用于低噪声放大器前端保护、射频信号检测和调制解调电路。此外,SOT-23封装形式使其易于集成到PCB布局中,并具有良好的热稳定性和机械可靠性。该器件的高可靠性设计符合工业级标准,适用于需要长期稳定运行的应用场景。

应用

该器件常用于无线通信系统中的射频检波、混频、频率倍增和开关应用。在测试与测量设备中,HSMS-282C-TR1G用于射频功率检测和信号处理。此外,它也适用于工业控制系统中的射频能量检测和信号调理电路。

替代型号

HSMS-285C-TR1G

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HSMS-282C-TR1G参数

  • 数据列表HSMS-282x
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)15V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F1pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称516-1820-6