时间：2025/9/15 14:26:14
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HSMS-2823-TR2G是一款由安华高科技（Avago Technologies）制造的双通道、低失真、宽带射频（RF）混频器集成电路。该器件设计用于高性能射频和微波通信系统，支持上变频和下变频应用。HSMS-2823-TR2G采用紧凑型表面贴装封装，具有良好的线性度和隔离性能，适用于无线基础设施、测试设备、宽带接入系统和工业控制系统等应用场景。
类型：射频混频器
通道数：双通道
频率范围：100 MHz 至 3 GHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：6引脚 SC-70 封装
电源电压：5V
功耗：典型值 50 mA
输入IP3：典型值 +18 dBm
转换损耗：典型值 7.5 dB
LO 输入功率：+7 dBm
隔离度：LO-RF 隔离 35 dB，RF-IF 隔离 30 dB
工作湿度：最大 85% RH
HSMS-2823-TR2G是一款高性能的射频混频器芯片，适用于多种通信系统中的上变频和下变频应用。该芯片内部集成了两个独立的混频器通道，支持双通道同时工作，从而提高了系统的灵活性和处理能力。其工作频率范围覆盖100 MHz至3 GHz，适用于广泛的无线通信频段，包括蜂窝通信、WiMAX、WiFi、广播和军事通信等应用。
该器件采用了安华高独有的GaAs（砷化镓）工艺，确保了在高频工作下的优异性能，包括低转换损耗、高线性度和良好的隔离特性。HSMS-2823-TR2G的输入IP3（三阶交调截距）典型值为+18 dBm，能够有效减少信号失真，提高系统的动态范围，使其适用于高要求的宽带通信系统。
此外，HSMS-2823-TR2G的LO（本地振荡器）输入功率要求为+7 dBm，确保了与常见的射频合成器和振荡器的良好兼容性。其封装采用6引脚SC-70封装，体积小巧，便于集成到高密度PCB设计中。芯片支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围，适用于工业级和商业级应用环境。
该混频器还具备较低的功耗特性，典型工作电流为50 mA，支持5V单电源供电，简化了电源管理设计。其高LO-RF隔离度（35 dB）和RF-IF隔离度（30 dB）有效减少了信号之间的串扰，提升了整体系统性能。
HSMS-2823-TR2G广泛应用于各种高性能射频和微波系统中。它特别适用于无线基站、微波回传系统、软件定义无线电（SDR）、测试和测量设备、宽带接入设备、工业控制系统以及卫星通信系统等。该器件的双通道特性使其能够用于MIMO（多输入多输出）架构中的射频前端设计，提高通信系统的吞吐量和稳定性。
HMC414, LT5560, AD8343, MAX2682, SA612
