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HSMS-281F-TR1G 发布时间 时间:2025/9/16 5:41:00 查看 阅读:12

HSMS-281F-TR1G 是由 Avago Technologies(现为 Broadcom)生产的一款表面贴装型射频(RF)肖特基二极管。该器件专为高频应用而设计,具有低正向电压降和快速恢复时间,适用于需要高可靠性和高性能的射频电路。HSMS-281F-TR1G 采用 SOT-23 封装,便于在现代电子设备中进行高密度布局。

参数

类型:肖特基二极管
  封装类型:SOT-23
  最大正向电流:100 mA
  最大反向电压:20 V
  正向电压(典型值):0.34 V @ 10 mA
  反向漏电流(最大值):100 nA @ 20 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  安装类型:表面贴装

特性

HSMS-281F-TR1G 是一款专为高频应用设计的肖特基二极管,具备出色的射频性能和稳定性。其主要特性包括低正向压降、快速恢复时间和低反向漏电流,这使得它在射频检波、混频、开关和调制电路中表现出色。
  此外,该器件采用 SOT-23 小型封装,适合高密度 PCB 布局,同时具有良好的热稳定性和机械强度。其宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)确保其在极端环境下仍能可靠运行,适用于航空航天、通信设备、测试仪器和工业控制系统等高要求应用场景。
  HSMS-281F-TR1G 的电气性能在宽频率范围内保持稳定,使其成为射频信号处理和功率检测电路中的理想选择。其表面贴装封装也便于自动化生产,提高了制造效率和可靠性。

应用

HSMS-281F-TR1G 主要用于射频和微波电路中的检波、混频、开关和功率检测等功能。其典型应用包括无线通信系统、射频识别(RFID)、功率放大器控制、频率合成器、测试与测量设备以及工业自动化系统中的射频信号处理模块。
  在通信设备中,该二极管常用于射频功率检测电路,以实现对发射功率的精确监控。此外,在射频开关和衰减器电路中,HSMS-281F-TR1G 也能提供良好的线性度和低插入损耗,适用于高频率信号的切换和控制。
  由于其高可靠性和小尺寸封装,该器件也广泛应用于便携式电子产品、医疗设备和汽车电子系统中,尤其是在需要高频信号处理和低功耗设计的场合。

替代型号

HSMS-2850, HSMS-282C, BB112, BB113

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HSMS-281F-TR1G产品

HSMS-281F-TR1G参数

  • 数据列表HSMS-281x
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大)20V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F1.2pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)