HSMS-2814-TR2G 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款高性能射频(RF)混频器芯片,适用于广泛的通信和射频应用。该器件是一款无源双平衡混频器,具有低转换损耗、高线性度和良好的隔离性能,适用于需要高性能混频功能的无线基础设施、测试设备和工业控制系统。HSMS-2814-TR2G 采用小型表面贴装封装,便于集成到现代高频电路设计中。
类型:无源双平衡混频器
频率范围:10 MHz 至 3 GHz
转换损耗:典型值 6.5 dB(在 900 MHz)
输入IP3:+15 dBm(典型值)
LO 输入功率:+7 dBm
RF 输入阻抗:50 Ω
IF 输出阻抗:50 Ω
隔离度:LO 到 RF > 30 dB,LO 到 IF > 25 dB
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
HSMS-2814-TR2G 是一款高性能射频混频器,专为满足高线性度和低失真要求而设计。其核心特性之一是低转换损耗,通常在 6.5 dB 左右,确保了信号在混频过程中的高效转换,这对于需要高灵敏度和低噪声的接收系统尤为重要。此外,该混频器具备优异的输入三阶截点(IIP3),典型值达到 +15 dBm,表明其在处理高功率信号时仍能保持出色的线性性能,适用于多载波和高动态范围的应用。
该芯片还具有良好的隔离性能,LO(本地振荡器)与 RF(射频)端口之间的隔离度大于 30 dB,LO 与 IF(中频)端口之间的隔离度大于 25 dB,有效减少了信号泄漏和干扰,提高了系统的整体稳定性。HSMS-2814-TR2G 的设计适用于广泛的频率范围,从 10 MHz 到 3 GHz,使其能够广泛应用于蜂窝通信、无线接入、广播接收和测试测量设备中。
该混频器采用无源结构,无需外部直流电源供电,简化了电路设计并降低了功耗。其封装形式为小型 SOT-23-6,适合高密度 PCB 布局,并具有良好的热稳定性和机械可靠性,适用于工业级工作温度范围(-55°C 至 +125°C)。这使得 HSMS-2814-TR2G 在恶劣环境中也能保持稳定性能。
HSMS-2814-TR2G 广泛应用于多种射频和通信系统中,包括蜂窝基站、无线基础设施、工业控制设备和测试测量仪器。在无线通信系统中,该混频器可用于上变频或下变频操作,将信号从 RF 转换到 IF 或反之。由于其高线性度和低转换损耗,它特别适合用于多载波通信系统、宽带无线接入设备以及需要高动态范围的接收器设计。
此外,该器件还可用于频谱分析仪、信号发生器和其他测试设备中,以实现精确的信号处理和测量。在工业自动化和远程监控系统中,HSMS-2814-TR2G 可用于构建高性能的无线通信链路,确保稳定的数据传输和低误码率。其无源结构和紧凑的封装也使其成为便携式设备和空间受限应用的理想选择。
HMC414LC3B, MAX19997A, ADL5801