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HSMS-280N-TR1G 发布时间 时间:2025/9/15 23:15:27 查看 阅读:17

HSMS-280N-TR1G是一款由安捷伦科技(Agilent Technologies)制造的表面贴装型PIN二极管,广泛应用于射频和微波开关、衰减器以及自动测试设备(ATE)系统中。该器件采用SOT-23封装,具备优良的射频性能和可靠性,适用于工业和通信领域的多种高频应用场景。

参数

封装类型:SOT-23
  器件类型:PIN二极管
  最大工作频率:200 MHz
  最大正向电流:10 mA
  最大反向电压:30 V
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C

特性

HSMS-280N-TR1G是一款高性能的PIN二极管,具有良好的线性度和低失真特性,适用于射频信号控制和调节。该器件的PIN结构使其在高频应用中表现出色,具有低插入损耗和高隔离度。此外,其SOT-23封装设计节省空间,便于在高密度PCB布局中使用。器件的正向电流和反向电压参数适中,适合多种射频开关和衰减器的设计需求。HSMS-280N-TR1G的稳定性能使其在自动测试设备(ATE)中广泛使用,确保测试信号的精确控制和调节。
  该器件的制造工艺确保了其在高温和高频环境下仍能保持稳定工作,具备良好的热稳定性和机械强度。PIN二极管的非线性特性使其在射频信号控制中具有广泛的应用,包括射频开关、衰减器、调制器等。HSMS-280N-TR1G的这些特性使其成为射频电路设计中的重要组件。

应用

HSMS-280N-TR1G广泛应用于射频和微波开关、衰减器、自动测试设备(ATE)系统、通信基础设施、工业控制系统以及高频信号调节电路中。该器件适用于需要高频率响应和稳定性能的射频电路设计,尤其在需要精确控制射频信号的应用场景中表现优异。

替代型号

HSMS-2850, HSMS-281C-TR1G

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HSMS-280N-TR1G产品

HSMS-280N-TR1G参数

  • 数据列表HSMS-280x
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 2 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大)70V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F2pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)